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HN4B102J

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

HN4B102J

TransistorSiliconPNP/NPNEpitaxialType(PCTProcess)

MOSGateDriveApplications SwitchingApplications ?Smallfootprintduetoasmallandthinpackage ?HighDCcurrentgain:PNPhFE=200to500(IC=－0.2A) :NPNhFE=200to500(IC=0.2A) ?Lowcollector-emittersaturation:PNPVCE(sat)=－0.20V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    A4B102

  • 制造商：

    AB

  • 功能描述：

    POT1K ALLEN BRADLEY S7D7B

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ALLEN-BRADLEY
新
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全新原裝 貨期兩周
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SMD
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HIROSE
800
詢價
更多A4B102供應(yīng)商 更新時間2025-2-22 16:06:00

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