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A5G35H055NT4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠(chǎng)商型號(hào) |
A5G35H055NT4 |
| 參數(shù)屬性 | A5G35H055NT4 包裝為散裝；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR |
| 功能描述 | Airfast RF Power GaN Transistor |
| 文件大小 |
191.66 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
11 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠(chǎng)商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱(chēng) | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠(chǎng)標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-21 15:55:00 |
| 人工找貨 | A5G35H055NT4價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
A5G35H055NT4規(guī)格書(shū)詳情
This 7.6 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed for
cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth
capability covering the frequency range of 3400 to 3600 MHz.
This part is characterized and performance is guaranteed for applications
operating in the 3400 to 3600 MHz band. There is no guarantee of performance
when this part is used in applications designed outside of these frequencies.
Features
? High terminal impedances for optimal broadband performance
? Improved linearized error vector magnitude with next generation signal
? Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating
conditions
? Designed for low complexity linearization systems
? Optimized for massive MIMO active antenna systems for 5G base stations
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
A5G35H055NT4
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
散裝
- 描述：
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP USA Inc. |
24+ |
6-LDFN 裸露焊盤(pán) |
9350 |
獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢(xún)價(jià) | ||
23+ |
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23+ |
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全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
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NXP(恩智浦) |
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原廠(chǎng)封裝 |
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NXP(恩智浦) |
23+ |
- |
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支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。 |
詢(xún)價(jià) | ||
NXP |
24+ |
10-PowerLDFN |
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NXP SEMICONDUCTORS |
24+ |
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