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A5G35H120NT2

Airfast RF Power GaN Transistor

This18WasymmetricalDohertyRFpowerGaNtransistorisdesignedfor cellularbasestationapplicationsrequiringverywideinstantaneousbandwidth capabilitycoveringthefrequencyrangeof3300to3700MHz. Thispartischaracterizedandperformanceisguaranteedforapplications operating

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A5G35H120NT2

Airfast RF Power GaN Transistor

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nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A5G35H120NT2

Airfast RF Power GaN Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A5G35H120NT2

Package:10-PowerLDFN;包裝:散裝 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    A5G35H120NT2

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 頻率:

    3.3GHz ~ 3.7GHz

  • 增益:

    14.1dB

  • 功率 - 輸出:

    18W

  • 封裝/外殼:

    10-PowerLDFN

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    10-DFN(7x10)

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NXP SEMICONDUCTORS
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更多A5G35H120NT2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-16 13:08:00