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NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz F=1.45dBat900MHz | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?Highpowergain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/EC ??andWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersat ??collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA. | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?Highpowergain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/EC ??andWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersat ??collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA. | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?Highpowergain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/EC ??andWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersat ??collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA. | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz F=1.45dBat900MHz | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz F=1.45dBat900MHz | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz F=1.45dBat900MHz | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNSiliconRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Ge-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_輸出極 （E）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
32V
- 最大電流允許值：
1.5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
AC176K,AC187K,AC194K,3BX1D,
- 最大耗散功率：
0.44W
- 放大倍數(shù)：
β=250
- 圖片代號(hào)：
C-18
- vtest：
32
- htest：
999900
- atest：
1.5
- wtest：
0.44
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
AC181K
- 功能描述：
GERMANIUM SMALL SIGNAL TRANSISTORS
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MicrochipTechnology |
24+ |
原廠原裝 |
6000 |
進(jìn)口原裝正品假一賠十,貨期7-10天 |
詢價(jià) | ||
Microchip |
23+ |
2017-MI |
21500 |
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣! |
詢價(jià) | ||
Microchip Technology Inc. |
2022+ |
1 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) | |||
Microchip |
20+ |
USB |
960 |
無線通信IC,大量現(xiàn)貨! |
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Microchip |
1940+ |
N/A |
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射頻元件 |
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NA |
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Microchip |
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Microchip |
21+ |
15000 |
只做原裝 |
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MICROCHIP/微芯 |
23+ |
33600 |
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詢價(jià) |
