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BD136

Complementarylowvoltagetransistor

Features ■Productsarepre-selectedinDCcurrentgain Application ■Generalpurpose Description Theseepitaxialplanartransistorsaremountedin theSOT-32plasticpackage.Theyaredesigned foraudioamplifiersanddriversutilizing complementaryorquasi-complementarycircuits.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

BD136

TO-126Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES HighCurrent ComplementToBD135,BD137AndBD139

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

BD136G

PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor

PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor Thisseriesofplastic,medium?powersiliconPNPtransistorsaredesignedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features ?Pb?FreePackagesareAvailable* ?DCCurrentGain?hFE=40(Min)@

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BD136G

PlasticMedium-PowerSiliconPNPTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BD136-TU

TO-126Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES HighCurrent ComplementToBD135,BD137AndBD139

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

BFP136

NPNSiliconRFTransistor(ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems)

NPNSiliconRFTransistor ?ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems ?fT=5.5GHz ?Goldmetalizationforhighreliability

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司

BFP136

NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor ●ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems ●fT=5.5GHz ●Goldmetalizationforhighreliability

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP136W

NPNSiliconRFTransistor(ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems)

NPNSiliconRFTransistor ?ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems ?fT=5.5GHz ?Goldmetalizationforhighreliability

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司

BFP136W

NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor ●ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems ●fT=5.5GHz ●Goldmetalizationforhighreliability

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFQ136

NPN4GHzwidebandtransistor

DESCRIPTION NPNtransistorinafour-leaddual-emitterSOT122Aenvelopewithaceramiccap.Allleadsareisolatedfromthestud.Diffusedemitter-ballastingresistorsandtheapplicationofgoldsandwich metallizationensureanoptimumtemperatureprofileandexcellentreliabilitypropertie

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    AD136V

  • 功能描述：

    TRANSISTOR | BJT | PNP | 22V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-8

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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公司只售原裝,支持實(shí)單
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原封裝
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只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣
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AnalogDevices
DIP-32P
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AD代理旗下一級(jí)分銷(xiāo)商,主營(yíng)AD全系列產(chǎn)品
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更多AD136V供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-11 10:30:00

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