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N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司 | VBSEMI | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=57A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
SynchronousRectifierMOSFETDriver GeneralDescriptions TheAP436isahigh-speedcontrollerdesignedtodriveN-channelpowerMOSFETusedassynchronousrectifiersinhighcurrent,highfrequencyfly-backconverters.Thecircuitdoesnotrequireanytiestotheprimarysideandderivesitsoperatingpowerdirectlyfromthesecond | ANACHIPAnachip Corp 易亨電子易亨電子股份有限公司 | ANACHIP | ||
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EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications | TEL TRANSYS Electronics Limited | TEL | ||
SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·ComplementtotypeBD433/435/437 APPLICATIONS ·Formediumpowerlinearandswitchingapplications | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | ||
COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Ge-PNP
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
46V
- 最大電流允許值：
3.5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號(hào)：
AD149,AD166,AL102,AUY19,2N2138,2N2142,2N2148,3AD50A,
- 最大耗散功率：
30W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
E-44
- vtest：
46
- htest：
999900
- atest：
3.5
- wtest：
30
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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專營軍工產(chǎn)品,進(jìn)口原裝 |
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原裝現(xiàn)貨 |
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