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ADM18N03Z中文資料愛德微數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

ADM18N03Z
廠商型號

ADM18N03Z

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

絲印標識

M18N03Z

封裝外殼

PDFN33

文件大小

1.02127 Mbytes

頁面數(shù)量

6

生產廠商 Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

ADV愛德微

中文名稱

愛德微(深圳)電子有限公司官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-3-20 13:10:00

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ADM18N03Z規(guī)格書詳情

Features:

● Low Gate Charge for Fast Switching Application

● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss

● 100% EAS Guaranteed

● Optimized V(BR)DSS Ruggedness

● Green Device Available

Description:

The ADM18N03Z uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

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