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ADP360120W3

Automotive-grade ACEPACK DRIVE power module, sixpack topology 1200 V, 2.55 m typ. SiC MOSFET gen.3 based

?1200Vblockingvoltage ?3.5mΩoftypicalRDS(on) ?MaximumoperativejunctiontemperatureTJop=175°C ?Verylowswitchingenergy ?Lowinductivecompactdesignforanhigherpowerdensity ?Si3N4AMBsubstratetoimprovethermalperformance ?SiCPowerMOSFETchipsinteredtosubstra

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

ADP360120W3

包裝：托盤(pán) 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：AUTOMOTIVE-GRADE ACEPACK DRIVE P

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    ADP360120W3

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 描述：

    AUTOMOTIVE-GRADE ACEPACK DRIVE P

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
STMicroelectronics
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詢價(jià)
更多ADP360120W3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-25 16:10:00

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