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AGR26180EF

180 W, 2.535 GHz-2.655 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET

TriQuint

TriQuint Semiconductor

26180

BobbinWoundSurfaceMountInductors

DESCRIPTION The2600seriesisarangeofbobbinwoundsurfacemountinductorsdesignedforuseinswitchingpowersupplyandpowerlinefiltercircuits.Thepartsaresuitableforanyapplicationrequiringahighsaturationcurrentinaminiaturesurfacemountfootprint.WhereEMIisacritical

CANDD

C&D Technologies

26180C

BobbinWoundSurfaceMountInductors

MURATA-PSMurata Power Solutions Inc.

村田村田制作所

26180C

BobbinWoundSurfaceMountInductors

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

NJU26180

NJU26100SeriesHardwareSpecification

NJRCNew Japan Radio

新日本無(wú)線株式會(huì)社

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    AGR26180EF

  • 功能描述：

    射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Freescale Semiconductor

  • 配置：

    Single

  • 頻率：

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益：

    27 dB

  • 輸出功率：

    100 W

  • 封裝/箱體：

    NI-780-4

  • 封裝：

    Tray

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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Advanced Semiconductor, Inc.
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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更多AGR26180EF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-7 13:00:00

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