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HP5806

PRECISIONBAROMETERANDALTIMETERSENSOR

HOPEHOPE Microelectronics CO., Ltd.

華普微深圳市華普微電子股份有限公司

IRF5806

PowerMOSFET(Vdss=-20V)

Description TheseP-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ●Ultra

IRF

International Rectifier

IRF5806PBF

UltraLowOn-Resistance

IRF

International Rectifier

IRF5806TRPBF

UltraLowOn-Resistance

IRF

International Rectifier

LV5806MX

Step-downSwitchingRegulator

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

NTD5806N

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD5806N

PowerMOSFET40V,33A,SingleN??hannel,DPAK/IPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD5806N

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

NTD5806N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=19mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NTD5806NG

PowerMOSFET40V,33A,SingleN??hannel,DPAK/IPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多AK5806供應(yīng)商 更新時間2025-4-9 17:25:00

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