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B106S

MINISURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER

FEATURES ?PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryrecognition94V-O ?Lowleakage ?Surgeoverloadrating--30amperespeak ?Idealforprintedcircuitboard ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective MECHANICALDATA ?Case:Reliablelowcostconstructionut

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

BB106A

SilicljeveplanarnesignalnediodeSiliconplanarsignaldiodes

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

BDB106

SINGLE-PHASEGLASSPASSIVATEDSILICONBRIDGERECTIFIER

RECTRON

Rectron Semiconductor

BFR106

NPN5GHzwidebandtransistor

DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorinaplasticSOT23envelope.Itisprimarilyintendedforlownoise,generalRFapplications.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BFR106

NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersForlinearbroadbandamplifiers)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiers ?Forlinearbroadbandamplifiers ?Specialapplication:antennaamplifiers ?Complementarytype:BFR194(PNP)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BFR106

NPNSiliconRFTransistor

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?HighlinearitylownoiseRFtransistor ?22dBmOP1dBand31dBmOIP3@900MHz,8V,70mA ?ForUHF/VHFapplications ?Driverformultistageamplifiers ?Forlinearbroadbandandantennaamplifiers ?Collectordesignsupports5Vsupplyvoltage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR106

NPNSiliconRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR106

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR106

SiliconNPNRFTransistor

DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=2.5dBTYP.@VCE=8V,IC=20mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=10.5dBTYP.@VCE=8V,IC=70mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersandlinearbroadbandamplifiers.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

BFR106

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    ALQ106

  • 制造商：

    Panasonic Electric Works

  • 類別：

    繼電器 > 功率繼電器，高于 2 A

  • 系列：

    ALQ

  • 包裝：

    盒

  • 安裝類型：

    通孔

  • 線圈電壓：

    6VDC

  • 觸頭外形：

    SPDT（1 Form C）

  • 開關(guān)電壓：

    250VAC - 最大

  • 線圈類型：

    無鎖存

  • 端接樣式：

    PC 引腳

  • 線圈絕緣：

    B 類

  • 必須吸合電壓：

    4.5 VDC

  • 必須釋放電壓：

    0.3 VDC

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 觸頭材料：

    銀鎳（AgNi）

  • 繼電器類型：

    通用

  • 描述：

    RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 6V

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更多ALQ106供應商 更新時間2025-4-12 15:04:00

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