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AM2301E3SVR中文資料創(chuàng)瑞科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

AM2301E3SVR
廠商型號(hào)

AM2301E3SVR

功能描述

MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

文件大小

439.93 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 AiT Semiconductor Inc.
企業(yè)簡稱

AITSEMI創(chuàng)瑞科技

中文名稱

AiT創(chuàng)瑞科技官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-20 22:59:00

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AM2301E3SVR規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The AM2301 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density. advanced trench technology to provide excellent RDS(ON). .low gate charge and operation gate as 2.5V.

This device is suitable for use as a load switch or other general applications.

The AM2301 is available in SOT-23S Package

FEATURES

? -20V/-3.0A, RDS(ON) =80mΩ(typ.)@VGS =-4.5V

? -20V/-2.0A, RDS(ON) =105mΩ(typ.)@VGS =-2.5V

? Super high density cell design for extremely low

Gate Charge

? Exceptional on-resistance and Maximum DC

current capability

? Available in SOT-23S Package

APPLICATIONS

? Power Management in Note book

? Portable Equipment

? Networking DC-DC Power System

? Load Switch

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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