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AML1005H5N6STS中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AML1005H5N6STS
廠商型號

AML1005H5N6STS

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

文件大小

176.65 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-13 22:58:00

AML1005H5N6STS規(guī)格書詳情

FEATURES

? The NESG3033M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz

? Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz

? SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz

? This product is improvement of ESD of NESG3032M14.

? 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AML1005H5N6STS

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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