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AO4435

Marking：AO4435；Package：SOP-8；30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Description Theusesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.This deviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=-30VID=-12A RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

AO4441

Marking：AO4441；Package：SOP-8；-60V P-Channel MOSFET

Features VDS(V)=-60V ID=-4A(VGS=-10V) RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

AO4441

Marking：AO4441；Package：SOP-8；-60V P-Channel MOSFET

GeneralDescription TheAO4441usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),andultra-lowlowgatecharge.This deviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWM applications. Features ID=-4A(VGS=-10V) VDS(V)=-60V RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

AO4443

Marking：AO4443；Package：SOP-8；-40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

GeneralFeatures VDS=-40VID=-8A RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

AO4443

Marking：AO4443；Package：SOP-8；-40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Description TheAO4443usesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.This deviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=-40VID=-8A RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

AO4447A

Marking：AO4447A；Package：SOP-8；-30V P-Channel MOSFET

Features VDS(V)=-30V ID=-18.5A(VGS=-10V) RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

AO4459

Marking：AO4459；Package：SOP-8；P-Channel MOSFET

ProductSummary VDS=-30VID=-6.5A RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

AO4459

Marking：AO4459；Package：SOP-8；P-Channel MOSFET

GeneralDescription TheAO4459combinesadvancedtrenchMOSFET technologywithalowresistancepackagetoprovide extremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitch andbatteryprotectionapplications. ProductSummary VDS=-30VID=-6.5A RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

AO4466

Marking：AO4466；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET

ProductSummary VDS(V)=30V ID=10A RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

AO4466

Marking：AO4466；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET

GeneralDescription TheAO4466usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.This deviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWM applications.Thesourceleadsareseparatedtoallow aKelvinconnectiontothesource,whichmaybe usedtobypassthe

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

替換型號(hào)

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    AOS

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_超高頻/特高頻 （UHF）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    15V

  • 最大電流允許值：

    0.6A

  • 最大工作頻率：

    17.5GHZ

  • 引腳數(shù)：

    5

  • 可代換的型號(hào)：

    BFP490,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    H-21

  • vtest：

    15

  • htest：

    17500000000

  • atest：

    0.6

  • wtest：

    0

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    AO

  • 制造商：

    TE Connectivity Laird

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > RF 配件

  • 包裝：

    袋

  • 描述：

    ACCY MISC AB ANTENNA

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更多AO供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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