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AO4447A中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO4447A
廠商型號

AO4447A
功能描述

30V P-Channel MOSFET
文件大小

194.7 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD【萬國半導(dǎo)體】

中文名稱

美國萬國半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-21 11:33:00
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AO4447A規(guī)格書詳情

General Description

The AO4447A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge.This device is ideal for load switch and battery protection applications.

Product Summary

VDS (V) = -30V

ID = -17A (VGS = -10V)

RDS(ON) < 7m? (VGS = -10V)

RDS(ON) < 8m? (VGS = -4.5V)

RDS(ON) < 9m? (VGS = -4V)

ESD Protected

100 UIS Tested

100 Rg Tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    AO4447A

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 30V 17A 8-SOIC

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NK/南科功率
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SOP-8
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國產(chǎn)南科平替供應(yīng)大量
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