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FXL6408

FullyConfigurable8-BitI2C-ControlledGPIOExpander

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FXL6408UMX

FullyConfigurable8-BitI2C-ControlledGPIOExpander

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

HD-6408

CMOSAsynchronousSerialManchesterAdapter(ASMA)

TheHD-6408isaCMOS/LSIManchesterEncoder/Decoderforcreatingaveryhighspeedasynchronousserialdatabus.TheEncoderconvertsserialNRZdata(typicallyfromashiftregister)toManchesterIIencodeddata,addingasyncpulseandparitybit.TheDecoderrecognizesthissyncpulseandide

Intersil

Intersil Corporation

HD-6408

CMOSAsynchronousSerialManchesterAdapter(ASMA)

Intersil

Intersil Corporation

HD-6408

CMOSAsynchronousSerialManchesterAdapter(ASMA)

TheHD-6408isaCMOS/LSIManchesterEncoder/Decoderforcreatingaveryhighspeedasynchronousserialdatabus.TheEncoderconvertsserialNRZdata(typicallyfromashiftregister)toManchesterIIencodeddata,addingasyncpulseandparitybit.TheDecoderrecognizesthissyncpulseandide

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HD-6408

CMOSAsynchronousSerialManchesterAdapter

TheHD-6408isaCMOS/LSIManchesterEncoder/Decoder forcreatingaveryhighspeedasynchronousserialdatabus. TheEncoderconvertsserialNRZdata(typicallyfromashift register)toManchesterIIencodeddata,addingasyncpulse andparitybit.TheDecoderrecognizesthissyncpulseand

Intersil

Intersil Corporation

HM6408

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheHM6408usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuseasabatteryprotectionorinotherswitchingapplication. Features ●VDS=20V,ID=5.5A RDS(ON)

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

HX6408

512kx8STATICRAM

The512Kx8RadiationHardenedStaticRAMisahighperformance524,288wordx8-bitstaticrandomaccessmemorywithoptionalindustry-standardfunctionality.ItisfabricatedwithHoneywell’sradiationhardenedSiliconOnInsulator(SOI)technology,andisdesignedforuseinlowvoltagesystem

HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center

霍尼韋爾霍尼韋爾國(guó)際

HX6408-EFM

512kx8STATICRAM

The512Kx8RadiationHardenedStaticRAMisahighperformance524,288wordx8-bitstaticrandomaccessmemorywithoptionalindustry-standardfunctionality.ItisfabricatedwithHoneywell’sradiationhardenedSiliconOnInsulator(SOI)technology,andisdesignedforuseinlowvoltagesystem

HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center

霍尼韋爾霍尼韋爾國(guó)際

HX6408-EFN

512kx8STATICRAM

The512Kx8RadiationHardenedStaticRAMisahighperformance524,288wordx8-bitstaticrandomaccessmemorywithoptionalindustry-standardfunctionality.ItisfabricatedwithHoneywell’sradiationhardenedSiliconOnInsulator(SOI)technology,andisdesignedforuseinlowvoltagesystem

HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center

霍尼韋爾霍尼韋爾國(guó)際

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    AO6408

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 20V 8.8A 6-TSOP

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
AOS(萬代)
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
11163
我們只是原廠的搬運(yùn)工
 詢價(jià)
AO
24+
TSOP-6
45000
熱賣優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨
 詢價(jià)
AO
16+
TSOP-6
11800
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢(shì)!
 詢價(jià)
AOS
16/17+
TSSOP-6
7700
AOS現(xiàn)貨庫存長(zhǎng)期供應(yīng)
 詢價(jià)
AOS/萬代
2019+
NA
3333
原廠渠道 可含稅出貨
 詢價(jià)
AO
2019+PB
TSOP-6
11800
原裝正品 可含稅交易
 詢價(jià)
AOS/萬代
24+
TSOP-6
333888
專業(yè)直銷原裝AOS一系列可訂貨
 詢價(jià)
AOS/萬代
24+
TSOP-6
498688
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價(jià)
AOS
TSOP-6
4382
全新原裝正品現(xiàn)貨可開票
 詢價(jià)
AOS
2015+
SOT163
19889
一級(jí)代理原裝現(xiàn)貨,特價(jià)熱賣!
 詢價(jià)
更多AO6408供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-8 10:20:00

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