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AO8810	文件：117.18 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO8810usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected.AO8810Lisofferedinalead-freepackage.St	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO8810	文件：963.39 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel MOSFET FEATURES ?Halogen-freeOptionAvailable ?TrenchFET?PowerMOSFETs	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AO8810	文件：221.93 Kbytes Page：5 Pages	20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO8810L	文件：117.18 Kbytes Page：4 Pages	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO8810usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected.AO8810Lisofferedinalead-freepackage.St	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO8810_12	文件：221.93 Kbytes Page：5 Pages	20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
BCL8810KDW	文件：1.21436 Mbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS DESCRIPTION DS(ON) TheBCL8810KDWusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRandlowgatecharge. ItisESDprotected. Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswitch,facilitatedbyitscommon-drainconfiguration.	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
BR8810MF	文件：1.43691 Mbytes Page：9 Pages	N-channelDoubleMOSFETinaSOT23-6PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
CJ8810	文件：933.04 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJ8810	文件：1.3745 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
CJ8810	文件：1.88308 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
AO8810
功能描述：
MOSFET DUAL N-CH 20V 7A 8-TSSOP
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
系列：
-
產(chǎn)品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1
系列：
- FET
型：
2 個 N 溝道（雙） FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PowerPAK? SO-8
包裝：
Digi-Reel®
產(chǎn)品目錄頁面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名稱：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳硅原半導(dǎo)體有限公司	AO8810	AOS/萬代	23+	TSSOP8	23645	誠心經(jīng)營原盒原標(biāo) 正品現(xiàn)貨價格美麗假一罰十	詢價
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更多AO8810供應(yīng)商更新時間2025-3-29 10:01:00

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