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AOB1100L中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

AOB1100L
廠商型號(hào)

AOB1100L

功能描述

100V N-Channel Rugged Planar MOSFET

文件大小

297.58 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD萬國半導(dǎo)體

中文名稱

美國萬國半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-22 23:00:00

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AOB1100L規(guī)格書詳情

General Description

The AOT1100L/AOB1100L uses a robust technology that is designed to provide efficient and reliable power conversion even in the most demanding applications, including motor control. With low RDS(ON) and excellent thermal capability this device is appropriate for high current switching and can endure adverse operating conditions.This device is ideal for boost converters and synchronous rectifiers for consumer, telecom, industrial power supplies and LED backlighting.

Product Summary

VDS 100V

ID (at VGS=10V) 130A

RDS(ON) (at VGS=10V)

100 UIS Tested

100 Rg Tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    AOB1100L

  • 功能描述:

    MOS N CH 100V 130A 2.1W TO263

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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