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AOI418

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

AOI418

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AOI418

30VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheAOD418/AOI418usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.WiththeexcellentthermalresistanceoftheDPAK/IPAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications. ProductSummary V

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬國(guó)半導(dǎo)體

AOT418L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AOT418L

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

AOT418L

100VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheAOB418usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasahighsideswitchinCPUcorepowerconversion.StandardProductAOB418isPb-free(meetsROHS&Sony259specificatio

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬國(guó)半導(dǎo)體

AOW418

100VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheAOW418isfabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatechargeandlowQrr.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchingandgeneralpurpos

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬國(guó)半導(dǎo)體

AOW418

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BF418

PNPSILICONTRANSISTOR,EPITAXIALPLANAR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BZA418A

QuadrupleESDtransientvoltagesuppressor

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    AOB418

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    SDMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
AOS/萬代
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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