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AOD407中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AOD407
廠商型號

AOD407

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

131.8 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD萬國半導(dǎo)體

中文名稱

美國萬國半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-14 16:59:00

AOD407規(guī)格書詳情

General Description

The AOD407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. With the excellent thermal resistance of the DPAK package, this device is well suited for high current load applications. Standard Product AOD407 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOD407L is a Green Product ordering option. AOD407 and AOD407L are electrically identical.

Features

VDS (V) = -60V

ID = -12A (VGS = -10V)

RDS(ON) < 115m? (VGS = -10V)

RDS(ON)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AOD407

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH -60V -12A TO-252

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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