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AOD7S65

Marking：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=7.0A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=650V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-L

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AOD7S65

650V 7A a MOS Power Transistor

GeneralDescription TheAOD7S65&AOU7S65&AOI7S65havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalancheca

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

AOI7S65

650V7AaMOSPowerTransistor

GeneralDescription TheAOD7S65&AOU7S65&AOI7S65havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalancheca

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

AOI7S65

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AOT7S65

650V7AaMOSPowerTransistor

GeneralDescription TheAOT7S65L&AOB7S65L&AOTF7S65L&AOTF7S65havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguar

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

AOT7S65L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AOT7S65L

650V7AaMOS

GeneralDescription TheAOT7S65L&AOB7S65L&AOTF7S65L&AOTF7S65havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguar

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

AOTF7S65

650V7AaMOS

GeneralDescription TheAOT7S65L&AOB7S65L&AOTF7S65L&AOTF7S65havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguar

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

AOTF7S65

650V7AaMOSPowerTransistor

GeneralDescription TheAOT7S65L&AOB7S65L&AOTF7S65L&AOTF7S65havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguar

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萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

AOTF7S65

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    AOD7S65

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 650V 7A TO252

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    aMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ALPHA
SOT-252
30216
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免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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更多AOD7S65供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-6 14:00:00

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