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AON6426

DFN 5X6 PACKAGE MARKING DESCRIPTION

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

AON6426L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheAON6426LcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. -RoHSCompliant -HalogenFree Features VDS(V)=30V ID=24A(VGS=

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

AON6426L

DFN 5X6 PACKAGE MARKING DESCRIPTION

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

CEA6426

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 60V,4.6A,RDS(ON)=90mW@VGS=10V. RDS(ON)=110mW@VGS=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-89package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEA6426

N-Channel0-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?PowerMOSFET APPLICATIONS ?LoadSwitchesforPortableDevices

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

CEA6426

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■60V,3A,RDS(ON)=90mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=110mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-89package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEB6426

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■60V,17A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CED6426

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■60V,16A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CED6426

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 60V,16A,RDS(ON)=66mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS( Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=85mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEM6426

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 60V,4.7A,RDS(ON)=66mW@VGS=10V. RDS(ON)=85mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    AON6426

  • 功能描述：

    MOSFET N CH 30V 65A DFN5X6

  • RoHS：

    是

  • 類(lèi)別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
AOS(萬(wàn)代)
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
6698
我們只是原廠的搬運(yùn)工
 詢(xún)價(jià)
AOS/萬(wàn)代
24+
DFN5x6
45000
熱賣(mài)優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
AOS
16+
DFN5X6
6000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢(shì)!
 詢(xún)價(jià)
AOS/萬(wàn)代
2019+
DFN
3470
原廠渠道 可含稅出貨
 詢(xún)價(jià)
AOS
2020+
DFN5*6
8000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
 詢(xún)價(jià)
AOS/萬(wàn)代
24+
DFN5X6
12889
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢(xún)價(jià)
AOS/萬(wàn)代
12+PBF
DFN5x6
6000
原裝正品 可含稅交易
 詢(xún)價(jià)
AO/萬(wàn)代
2021+
DFN-856
9000
原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢(xún)價(jià)
 詢(xún)價(jià)
AOS/萬(wàn)代
24+
DFN56
333888
AOS原廠代理商渠道/優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
AOS/萬(wàn)代
24+
DFN5*6
498061
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢(xún)價(jià)
更多AON6426供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-15 15:00:00

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