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AOP609中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

AOP609
廠商型號(hào)

AOP609
功能描述

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
文件大小

153.66 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD【萬國半導(dǎo)體】

中文名稱

美國萬國半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-29 19:03:00
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AOP609規(guī)格書詳情

General Description

The AOP609 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications. Standard Product AOP609 is Pb free (meets ROHS & Sony 259 specifications).

AOP609L is a Green Product ordering option.

AOP609 and AOP609L are electrically identical.

Features

n-channel p-channel

VDS (V) = 60V -60V

ID = 4.7A (VGS=10V) -3.5A (VGS=-10V)

RDS(ON) RDS(ON)

< 60m? (VGS=10V) < 115m? (VGS =-10V)

< 75m? (VGS=4.5V) < 140m? (VGS =-4.5V)

ESD Rating: 1500V HBM 3000V HMB

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    AOP609

  • 功能描述：

    MOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-PDIP

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列：

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 個(gè) N 溝道（雙） FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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