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AOTF22N50

500V,22AN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheAOT22N50&AOTF22N50havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchcapabili

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導體美國萬國半導體

AOTF22N50

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDP22N50N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.22Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDP22N50N

DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION

Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDP22N50N

N-ChannelMOSFET500V,22A,0.22廓

Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

IRFBA22N50

PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=0.23ohm,Id=24A)

Applications 1.SwitchModePowerSupply(SMPS) 2.UninterruptiblePowerSupply 3.HighSpeedPowerSwitching Benefits 1.LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement 2.ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness 3.FullyCharacterizedCapacitan

IRF

International Rectifier

IRFBA22N50A

PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=0.23ohm,Id=24A)

Applications 1.SwitchModePowerSupply(SMPS) 2.UninterruptiblePowerSupply 3.HighSpeedPowerSwitching Benefits 1.LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement 2.ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness 3.FullyCharacterizedCapacitan

IRF

International Rectifier

IRFBA22N50APBF

HEXFET?PowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRFP22N50A

PowerMOSFET

FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFP22N50A

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    AOT22N50L

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 600V 22A TO220

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Alpha & Omega Semiconductor In
24+
TO-220
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
AOS/萬代
24+
TO-220
1950
只做原廠渠道 可追溯貨源
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AOS
24+
TO-220
8498
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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AOS
2016+
TO-220
6528
房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十
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TOSHIBA/東芝
23+
DFN-85x6
69820
終端可以免費供樣,支持BOM配單!
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TO-220
30000
代理全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢
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AOS/萬代
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TO-220
30000
萬代優(yōu)勢分銷 實單必成 可開增值稅13點
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TO-220
1675
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22+
NA
6878
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Alpha & Omega Semiconductor In
22+
TO2203
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
更多AOT22N50L供應商 更新時間2025-5-14 17:09:00

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