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BB502CBS-TL-H

BuiltinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

BB502M

BuiltinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

BB502M

BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHF/VHFRFAmplifier

Features ?BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. ?Lownoise;NF=1.6dBtyp.atf=900MHz ?Highgain;PG=22dBtyp.atf=900MHz ?WithstandingtoESD; BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

BB502M

BuiltinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

BB502MBS-TL-E

BuiltinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

BB502MBS-TL-E

BuiltinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier

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瑞薩瑞薩科技有限公司

BB502MBS-TL-H

BuiltinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

BC502

BA/BCSeries:1.5-6.0WattsSingleandDualOutputs

FEATURES ?InputπFilter ?FullyRegulatedOutputs ?IndustryStandardPinouts ?5,12,24,28,and48VDCInputs ?RippleandNoiseLessThan50mVpp ?Input/OutputIsolation

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類(lèi)制造商

BC502KW

Plastic-EncapsulateMOSFETS

DESCRIPTION TheseminiaturesurfacemountMOSFETsreducepowerlossconserve energy,makingthisdeviceidealforuseinsmallpowermanagementcircuitry. FEATURE Energyefficient Miniaturesurfacemountpackagesavesboardspace Withprotectiondiodebetweengateandsource Veryfast

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

BC502S

ToolApronStorageModule,S-Hook

TheBucketWorkCenterisanecosystemthatwillrevampthewayaLinemanworks.ItallowsLinemantocustomizetheirworkspace,justlikeother professionalscustomizetheirofficespace.TheKleinTools'ToolApronStorageModulehasmultipleslotstoaccommodateawidevarietyofLineman tool

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類(lèi)制造商未分類(lèi)制造商

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    AOT502

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH CLAMPED 9A TO220

  • RoHS:

  • 類(lèi)別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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