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N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD Features ▼HighSpeedSwitching ▼LowSaturationVoltage VCE(sat)=2.9V@IC=30A ▼CO-PAK,IGBTWithFRD ▼RoHSCompliant&Halogen-Free | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司 | A-POWER | ||
N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD VCES1200V IC30A Features ▼Highspeedswitching ▼LowSaturationVoltage VCE(sat)=3.0V@IC=30A ▼RoHSCompliant ▼CO-PAK,IGBTwithFRD | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 | AOSMD | ||
N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD Features ▼HighSpeedSwitching ▼LowSaturationVoltage VCE(sat)=3.0V@IC=30A ▼CO-PAK,IGBTWithFRD ▼RoHSComplian | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司 | A-POWER | ||
N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features ▼Highspeedswitching ▼LowSaturationVoltage VCE(sat)=3.0V@IC=30A ▼IndustryStandardTO-3PPackage ▼RoHSCompliant | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司 | A-POWER | ||
N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR ▼ICP=150A@VGE=3.0V ▼LowGateDrive ▼StrobeFlashApplications ▼RoHSCompliant&Halogen-Free | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司 | A-POWER | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description AP30N30fromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-3Ppackageispreferredforcommercial&industrialapplicationswithhigherpowerlevelpreclusionthanTO-220device. ▼100AvalancheTes | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司 | A-POWER | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description AP30N30fromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-3PFfullpackeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplications. ▼100AvalancheTest ▼SimpleDri | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司 | A-POWER | ||
2A 420kHz PWM BUCK DC-DC CONVERTER | BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新進(jìn)半導(dǎo)體上海新進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司 | BCDSEMI | ||
2A 420kHz PWM BUCK DC-DC CONVERTER | BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新進(jìn)半導(dǎo)體上海新進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司 | BCDSEMI | ||
2A 420kHz PWM BUCK DC-DC CONVERTER | BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新進(jìn)半導(dǎo)體上海新進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司 | BCDSEMI |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
36V
- 最大電流允許值：
8A
- 最大工作頻率：
50MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
- 最大耗散功率：
65W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
A-110
- vtest：
36
- htest：
50000000
- atest：
8
- wtest：
65
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
AP30
- 制造商：
Knowles Voltronics
- 類別：
電容器 > 微調(diào)器，可變電容器
- 系列：
A
- 包裝：
散裝
- 電容范圍：
1.5 ~ 30pF
- 調(diào)節(jié)類型：
側(cè)面
- 介電材料：
聚四氟乙烯（PTFE）
- 不同頻率時(shí) Q 值：
2000 @ 100MHz
- 大小 / 尺寸：
0.300" 直徑（7.62mm）
- 高度 - 安裝（最大值）：
0.500"（12.70mm）
- 工作溫度：
-65°C ~ 125°C
- 安裝類型：
通孔
- 特性：
通用
- 描述：
CAP TRIMMER 1.5-30PF 250V TH
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
BCD |
24+ |
SOT23-6 |
66800 |
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BCDSEMI |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
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SOIC |
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NA |
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AP |
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BCD |
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SOT23-6 |
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BCD |
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SOT23-6 |
2800 |
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詢價(jià) |
