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BF410B	文件：36.05 Kbytes Page：6 Pages	N-channelsiliconfield-effecttransistors DESCRIPTION AsymmetricalN-channelplanarepitaxialjunctionfield-effecttransistorsinaplasticTO-92variant;intendedforapplicationsuptotheVHFrange. TheseFETscanbesuppliedinfourIDSSgroups.Specialfeaturesarethelowfeedbackcapacitanceandthelownoisefigure.Thanks	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF410B	文件：54.98 Kbytes Page：3 Pages	LOW-NOISEN-CHANNELJUNCTIONFIELD-EFFECTTRANSISTORFORRFAPPLICATIONS Low-NoiseN-ChannelJunctionField-EffectTransistorforRFApplications BF410A,B,C,andDareasymmetricepitaxialplanarN-channeljunctionfield-effecttransistorsinplasticpackagesimilartoTO92(10A3DIN41888).TheyaredesignedforuseuptotheVHFrange.	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BF410C	文件：54.98 Kbytes Page：3 Pages	LOW-NOISEN-CHANNELJUNCTIONFIELD-EFFECTTRANSISTORFORRFAPPLICATIONS Low-NoiseN-ChannelJunctionField-EffectTransistorforRFApplications BF410A,B,C,andDareasymmetricepitaxialplanarN-channeljunctionfield-effecttransistorsinplasticpackagesimilartoTO92(10A3DIN41888).TheyaredesignedforuseuptotheVHFrange.	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BF410C	文件：36.05 Kbytes Page：6 Pages	N-channelsiliconfield-effecttransistors DESCRIPTION AsymmetricalN-channelplanarepitaxialjunctionfield-effecttransistorsinaplasticTO-92variant;intendedforapplicationsuptotheVHFrange. TheseFETscanbesuppliedinfourIDSSgroups.Specialfeaturesarethelowfeedbackcapacitanceandthelownoisefigure.Thanks	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF410D	文件：36.05 Kbytes Page：6 Pages	N-channelsiliconfield-effecttransistors DESCRIPTION AsymmetricalN-channelplanarepitaxialjunctionfield-effecttransistorsinaplasticTO-92variant;intendedforapplicationsuptotheVHFrange. TheseFETscanbesuppliedinfourIDSSgroups.Specialfeaturesarethelowfeedbackcapacitanceandthelownoisefigure.Thanks	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF410D	文件：54.98 Kbytes Page：3 Pages	LOW-NOISEN-CHANNELJUNCTIONFIELD-EFFECTTRANSISTORFORRFAPPLICATIONS Low-NoiseN-ChannelJunctionField-EffectTransistorforRFApplications BF410A,B,C,andDareasymmetricepitaxialplanarN-channeljunctionfield-effecttransistorsinplasticpackagesimilartoTO92(10A3DIN41888).TheyaredesignedforuseuptotheVHFrange.	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
BFG410	文件：104.6 Kbytes Page：12 Pages	NPN22GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNdoublepolysiliconwidebandtransistorwithburiedlayerforlowvoltageapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Rpackage. FEATURES ?Veryhighpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Emitteristhermallead ?Lowfeedbackcapacitance. APPLI	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFG410W	文件：104.6 Kbytes Page：12 Pages	NPN22GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNdoublepolysiliconwidebandtransistorwithburiedlayerforlowvoltageapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Rpackage. FEATURES ?Veryhighpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Emitteristhermallead ?Lowfeedbackcapacitance. APPLI	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFG410W	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFP410	文件：551.66 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Lowcurrentdevicesuitablee.g.forhandhelds ?Forhighfrequencyoscillatorse.g.DROforLNB ?ForISMbandapplicationslike AutomaticMeterReading,Sensorsetc. ?TransitfrequencyfT=25GHz ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepa	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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更多AP410E供應(yīng)商更新時(shí)間2025-4-9 11:30:00

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