APT1201R5BVR中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	APT1201R5BVR
功能描述	N-Channel MOSFET
文件大小	345.03 Kbytes
頁面數(shù)量	2 頁
生產(chǎn)廠商	Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱	ISC【無錫固電】
中文名稱	無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-2-15 9:30:00

FEATURES

·Drain Current -ID= 10A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 1200V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 1.5Ω(Max)@VGS= 10V

APPLICATIONS

·Switch Mode Power Supply (SMPS)

·Uninterruptible Power Supply (UPS)

·Power Factor Correction (PFC)

型號(hào)：
APT1201R5BVR
制造商：
ADPOW
制造商全稱：
Advanced Power Technology
功能描述：
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

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