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APT12060B2VFR

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

APT12060B2VFR

POWER MOS V

ADPOW

Advanced Power Technology

APT12060B2VR

PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.

PowerMOSV? PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?Iden

ADPOW

Advanced Power Technology

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    APT12060B2VFR

  • 制造商：

    ADPOW

  • 制造商全稱：

    Advanced Power Technology

  • 功能描述：

    POWER MOS V

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多APT12060B2VFR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-18 16:30:00

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