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APT20GF120BRD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
APT20GF120BRD |
| 參數(shù)屬性 | APT20GF120BRD 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 36A 200W TO247 |
| 功能描述 | The Fast IGBT??is a new generation of high voltage power IGBTs. |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
114.4 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Advanced Power Technology |
| 企業(yè)簡稱 |
ADPOW |
| 中文名稱 | Advanced Power Technology官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-21 18:25:00 |
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APT20GF120BRD規(guī)格書詳情
The Fast IGBT? is a new generation of high voltage power IGBTs. Using NonPunch Through Technology the Fast IGBT? combined with an APT free wheeling ultraFast Recovery Epitaxial Diode (FRED) offers superior ruggedness and fast switching speed.
? Low Forward Voltage Drop
? High Freq. Switching to 20KHz
? Low Tail Current
? Ultra Low Leakage Current
? RBSOA and SCSOA Rated
? Ultrafast Soft Recovery Antiparallel Diode
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
APT20GF120BRDQ1G
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，15A
- 開關(guān)能量：
895μJ（開），840μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
10ns/120ns
- 測試條件：
800V，15A，4.3 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247 [B]
- 描述：
IGBT 1200V 36A 200W TO247
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSE |
2016+ |
TO247 |
6528 |
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APT |
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