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APT40GR120B分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

APT40GR120B
廠商型號

APT40GR120B
參數(shù)屬性

APT40GR120B 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 88A 500W TO247
功能描述

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

2.83333 Mbytes
頁面數(shù)量

44 頁
生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi【美高森美】

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-14 16:50:00

APT40GR120B規(guī)格書詳情

POWER MOS 7? MOSFET

Power MOS 7? is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7? by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7? combines lower conduction and switching losses along with exceptionally fast switching speeds inherent with APTs patented metal gate structure.

? Lower Input Capacitance

? Increased Power Dissipation

? Lower Miller Capacitance

? Easier To Drive

? Lower Gate Charge, Qg

? TO-247 or Surface Mount D3PAK Package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    APT40GR120B

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.2V @ 15V，40A

  • 開關能量：

    1.38mJ（開），906μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    22ns/163ns

  • 測試條件：

    600V，40A，4.3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 88A 500W TO247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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