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APT54GA60BD30

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT54GA60BD30

High Speed PT IGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT54GA60BD30

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT54GA60BD30

Package：TO-247-3；包裝：管件 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 96A 416W TO247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    APT54GA60BD30

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，32A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    534μJ（開(kāi)），466μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    17ns/112ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，32A，4.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247 [B]

  • 描述：

    IGBT 600V 96A 416W TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Microsemi
23+
IGBT
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢(xún)價(jià)
Microsemi
24+
TO-247-3
5600
正常排單原廠正規(guī)渠道保證原裝正品
 詢(xún)價(jià)
MICROSEMI
638
原裝正品
 詢(xún)價(jià)
Microch
20+
NA
33560
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
 詢(xún)價(jià)
Microsemi
1942+
N/A
908
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 詢(xún)價(jià)
MICROSEMI
1809+
TO-247
326
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
 詢(xún)價(jià)
Microsemi Corporation
22+
TO247 [B]
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢(xún)價(jià)
Microsemi Corporation
21+
TO247 [B]
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢(xún)價(jià)
Microchip
21+
15000
只做原裝
 詢(xún)價(jià)
APTMICROSEMI
23+
TO-247B
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢(xún)價(jià)
更多APT54GA60BD30供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-18 14:04:00

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