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APT6010LLLG中文資料美高森美數據手冊PDF規(guī)格書

APT6010LLLG
廠商型號

APT6010LLLG

功能描述

POWER MOS 7 MOSFET

文件大小

265.58 Kbytes

頁面數量

5

生產廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-5-7 18:48:00

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APT6010LLLG規(guī)格書詳情

Power MOS 7? is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7? by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7? combines lower conduction and switching losses along with exceptionally fast switching speeds inherent with Microsemis patented metal gate structure.

? Lower Input Capacitance

? Lower Miller Capacitance

? Lower Gate Charge, Qg

? Increased Power Dissipation

? Easier To Drive

? Popular T-MAX? or TO-264 Package

產品屬性

  • 型號:

    APT6010LLLG

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V 54A TO-264

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列:

    POWER MOS 7®

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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