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APT64GA90B

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT64GA90B

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT64GA90B

High Speed PT IGBT

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APT64GA90B

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 900V 117A 500W TO247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT64GA90B2D30

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

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APT64GA90B2D30

Power Semiconductors Power Modules

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APT64GA90B2D30

Package：TO-247-3 變式；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 900V 117A 500W TO-247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT64GA90S

HighSpeedPTIGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    APT64GA90B

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.1V @ 15V，38A

  • 開關(guān)能量：

    1857μJ（開），2311μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    18ns/131ns

  • 測試條件：

    600V，38A，4.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247 [B]

  • 描述：

    IGBT 900V 117A 500W TO247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多APT64GA90B供應(yīng)商 更新時間2025-2-11 14:00:00

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