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APT75GN120B2G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

APT75GN120B2G
廠商型號

APT75GN120B2G

參數(shù)屬性

APT75GN120B2G 封裝/外殼為TO-247-3 變式;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 200A 833W TMAX

功能描述

Power Semiconductors Power Modules

封裝外殼

TO-247-3 變式

文件大小

2.83336 Mbytes

頁面數(shù)量

44

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-29 15:32:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    APT75GN120B2G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    托盤

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,75A

  • 開關(guān)能量:

    8045μJ(開),7640μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    60ns/620ns

  • 測試條件:

    800V,75A,1 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3 變式

  • 描述:

    IGBT 1200V 200A 833W TMAX

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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