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APT8015JVFR中文資料ADPOW數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
APT8015JVFR |
功能描述 | Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
文件大小 |
78.05 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Advanced Power Technology |
企業(yè)簡稱 |
ADPOW |
中文名稱 | Advanced Power Technology官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-3-20 12:20:00 |
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APT8015JVFR規(guī)格書詳情
Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.
? Fast Recovery Body Diode
? Lower Leakage
? Faster Switching
? 100 Avalanche Tested
? Popular SOT-227 Package
產(chǎn)品屬性
- 型號:
APT8015JVFR
- 功能描述:
MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227
- RoHS:
是
- 類別:
半導(dǎo)體模塊 >> FET
- 系列:
POWER MOS V®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
10
- 系列:
*
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
APT/晶科電子 |
04+ |
MODULE |
9 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Microsemi |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
原廠授權(quán)一級代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保 |
詢價(jià) | ||
Microch |
20+ |
NA |
33560 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價(jià) | ||
APT |
23+ |
MODULE |
7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Microse |
2020+ |
N/A |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
APT場效應(yīng) |
100 |
原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)惠 |
詢價(jià) | ||||
APT/晶科電子 |
25+ |
MODULE |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
APT |
23+ |
MODULE |
7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
APT/晶科電子 |
22+ |
MODULE |
6000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
APT |
24+ |
SOT227 |
182 |
詢價(jià) |