AT-64023分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
AT-64023 |
| 參數(shù)屬性 | AT-64023 封裝/外殼為4-SMD（230 密耳 BeO）；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 20V 230 MIL BE0 |
| 功能描述 | Up to 4 GHz Linear Power Silicon Bipolar Transistor |
| 封裝外殼 | 4-SMD（230 密耳 BeO） |
| 文件大小 |
45.89 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Agilent(Hewlett-Packard) |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
HP【安捷倫科技】 |
| 中文名稱 | 安捷倫科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-1 11:16:00 |
| 人工找貨 | AT-64023價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
AT-64023規(guī)格書(shū)詳情
Description
The AT-64023 is a high performance NPN silicon bipolar transistor housed in a hermetic BeO flange package for good thermal characteristics. This device is designed for use in medium power, wide band
amplifier and oscillator applications operating over VHF, UHF and microwave frequencies.
Features
? High Output Power:
27.5 dBm Typical P1 dB at 2.0? GHz
26.5 dBm Typical P1 dB at 4.0? GHz
? High Gain at 1 dB Compression:
12.5 dB Typical G1 dBat 2.0? GHz
9.5 dB Typical G1 dBat 4.0? GHz
? 35 Total Efficiency
? Emitter Ballast Resistors
? Hermetic, Metal/Beryllia Stripline Package
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
AT-64023
- 制造商：
Broadcom Limited
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
20V
- 功率 - 最大值：
3W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 110mA，8V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
200mA
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
4-SMD（230 密耳 BeO）
- 供應(yīng)商器件封裝：
230 mil Be0
- 描述：
RF TRANS NPN 20V 230 MIL BE0
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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