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iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ?HighPowerGain ?HighCurrentGainBandwidthProduct ?LowNoiseFigure ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?DesignedforuseinRFwidebandamplifiersandoscillators. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
NPNhigh-voltagetransistor DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.PNPcomplement:BFV421. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Highvoltage(max.100V). APPLICATIONS ?Primarilyintendedforvideoapplications(monitors). | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?ForHighGainLowNoiseAmplifiers ?ForOscillatorsupto10GHz ?NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?TransitionFrequencyfT=22G | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?ForHighGainLowNoiseAmplifiers ?ForOscillatorsupto10GHz ?NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?TransitionFrequencyfT=22G | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?ForHighGainLowNoiseAmplifiers ?ForOscillatorsupto10GHz ?NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?TransitionFrequencyfT=22G | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?ForHighGainLowNoiseAmplifiers ?ForOscillatorsupto10GHz ?NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?TransitionFrequencyfT=22G | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?ForHighGainLowNoiseAmplifiers ?ForOscillatorsupto10GHz ?NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?TransitionFrequencyfT=22G | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie(Cascadable50廓-gainblockUnconditionallystable) Si-MMIC-AmplifierinSIEGET?25-Technologie Preliminarydata ?Cascadable50?-gainblock ?Unconditionallystable ?Gain|S21|2=13dBat1.8GHzIP3out=+9dBmat1.8GHz(VD=3V,ID=typ.6.4mA) ?NoisefigureNF=2.2dBat1.8GHz ?Reverseisolation>28dBandreturnlossIN/O | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie Si-MMIC-AmplifierinSIEGET?25-Technologie ?Cascadable50?-gainblock ?Unconditionallystable ?Gain|S21|2=13dBat1.8GHzIP3out=+13dBmat1.8GHz(VD=3V,ID=typ.6.7mA) ?NoisefigureNF=2.2dBat1.8GHz ?Reverseisolation>28dBandreturnlossIN/OUT>12dBat1.8 | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）
- 封裝形式：
- 極限工作電壓：
45V
- 最大電流允許值：
0.5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
- 可代換的型號(hào)：
2N3301,2N3302,2N4450,2N4951,2N4952,BSV59,
- 最大耗散功率：
0.36W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
NO
- vtest：
45
- htest：
999900
- atest：
0.5
- wtest：
0.36
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
AT420
- 功能描述：
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80MA I(C) | CHIP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
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24+ |
QFP |
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現(xiàn)貨 |
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2020+ |
02+ |
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
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ATMEL |
2016+ |
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24+ |
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原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票 |
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公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢庫存! |
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17+ |
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全新進(jìn)口原裝,現(xiàn)貨庫存 |
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AGILENT |
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全新原裝現(xiàn)貨!自家?guī)齑? |
詢價(jià) |
