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BF410A	文件：54.98 Kbytes Page：3 Pages	LOW-NOISEN-CHANNELJUNCTIONFIELD-EFFECTTRANSISTORFORRFAPPLICATIONS Low-NoiseN-ChannelJunctionField-EffectTransistorforRFApplications BF410A,B,C,andDareasymmetricepitaxialplanarN-channeljunctionfield-effecttransistorsinplasticpackagesimilartoTO92(10A3DIN41888).TheyaredesignedforuseuptotheVHFrange.	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BF410A	文件：36.05 Kbytes Page：6 Pages	N-channelsiliconfield-effecttransistors DESCRIPTION AsymmetricalN-channelplanarepitaxialjunctionfield-effecttransistorsinaplasticTO-92variant;intendedforapplicationsuptotheVHFrange. TheseFETscanbesuppliedinfourIDSSgroups.Specialfeaturesarethelowfeedbackcapacitanceandthelownoisefigure.Thanks	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF410B	文件：36.05 Kbytes Page：6 Pages	N-channelsiliconfield-effecttransistors DESCRIPTION AsymmetricalN-channelplanarepitaxialjunctionfield-effecttransistorsinaplasticTO-92variant;intendedforapplicationsuptotheVHFrange. TheseFETscanbesuppliedinfourIDSSgroups.Specialfeaturesarethelowfeedbackcapacitanceandthelownoisefigure.Thanks	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF410B	文件：54.98 Kbytes Page：3 Pages	LOW-NOISEN-CHANNELJUNCTIONFIELD-EFFECTTRANSISTORFORRFAPPLICATIONS Low-NoiseN-ChannelJunctionField-EffectTransistorforRFApplications BF410A,B,C,andDareasymmetricepitaxialplanarN-channeljunctionfield-effecttransistorsinplasticpackagesimilartoTO92(10A3DIN41888).TheyaredesignedforuseuptotheVHFrange.	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BF410C	文件：54.98 Kbytes Page：3 Pages	LOW-NOISEN-CHANNELJUNCTIONFIELD-EFFECTTRANSISTORFORRFAPPLICATIONS Low-NoiseN-ChannelJunctionField-EffectTransistorforRFApplications BF410A,B,C,andDareasymmetricepitaxialplanarN-channeljunctionfield-effecttransistorsinplasticpackagesimilartoTO92(10A3DIN41888).TheyaredesignedforuseuptotheVHFrange.	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BF410C	文件：36.05 Kbytes Page：6 Pages	N-channelsiliconfield-effecttransistors DESCRIPTION AsymmetricalN-channelplanarepitaxialjunctionfield-effecttransistorsinaplasticTO-92variant;intendedforapplicationsuptotheVHFrange. TheseFETscanbesuppliedinfourIDSSgroups.Specialfeaturesarethelowfeedbackcapacitanceandthelownoisefigure.Thanks	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF410D	文件：36.05 Kbytes Page：6 Pages	N-channelsiliconfield-effecttransistors DESCRIPTION AsymmetricalN-channelplanarepitaxialjunctionfield-effecttransistorsinaplasticTO-92variant;intendedforapplicationsuptotheVHFrange. TheseFETscanbesuppliedinfourIDSSgroups.Specialfeaturesarethelowfeedbackcapacitanceandthelownoisefigure.Thanks	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF410D	文件：54.98 Kbytes Page：3 Pages	LOW-NOISEN-CHANNELJUNCTIONFIELD-EFFECTTRANSISTORFORRFAPPLICATIONS Low-NoiseN-ChannelJunctionField-EffectTransistorforRFApplications BF410A,B,C,andDareasymmetricepitaxialplanarN-channeljunctionfield-effecttransistorsinplasticpackagesimilartoTO92(10A3DIN41888).TheyaredesignedforuseuptotheVHFrange.	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BFG410	文件：104.6 Kbytes Page：12 Pages	NPN22GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNdoublepolysiliconwidebandtransistorwithburiedlayerforlowvoltageapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Rpackage. FEATURES ?Veryhighpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Emitteristhermallead ?Lowfeedbackcapacitance. APPLI	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFG410W	文件：104.6 Kbytes Page：12 Pages	NPN22GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNdoublepolysiliconwidebandtransistorwithburiedlayerforlowvoltageapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Rpackage. FEATURES ?Veryhighpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Emitteristhermallead ?Lowfeedbackcapacitance. APPLI	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

詳細(xì)參數(shù)

型號：
ATM-410
制造商：
Audio Technica
功能描述：
HANDHELD MICROPHONECARDIOID DYNAMIC

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