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BSR110ME

ThickFilm2512SurgeResistors

BITECHBi technologies

瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術(shù)有限公司

BSS110

P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor

DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaTO-92variantpackage. FEATURES ?Lowthresholdvoltage ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?Highspeedswitching ?Nosecondarybreakdown. APPLICATIONS ?IntendedforuseasaLinecurrentinterruptorin telepho

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BSS110

SIPMOSSmall-SignalTransistor(PchannelEnhancementmodeLogicLevel)

SIPMOS?Small-SignalTransistor ?Pchannel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?VGS(th)=-0.8...-2.0V

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司

BSS110

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisdesignedtominimizeon-stateresistance,provideruggedandreliableperformanceandfastswitching

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

BT110S

SurfaceMountGlassPassivatedBridgeRectifiers

HY

HY ELECTRONIC CORP.

BTS110

TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司

BTS110

TEMPFET(N-channelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BTS110

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BUZ110S

SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rateddv/dtrated)

SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalanche-rated ?dv/dtrated ?175°Coperatingtemperature ?alsoinSMDavailable

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司

BUZ110S

SIPMOS?PowerTransistor

SIPMOSPowerTransistor ProductSummary DrainsourcevoltageVDS55V Drain-Sourceon-stateresistanceRDS(on)0.01? ContinuousdraincurrentID80A Features ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?dv/dtrated ?175?Coperatingtemperature

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    AU110

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Ge-PNP

  • 性質(zhì)：

    電視 （TV）_行輸出 （HA）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    160V

  • 最大電流允許值：

    10A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號(hào)：

    AU107,2N5324,2N5325,

  • 最大耗散功率：

    30W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    E-44

  • vtest：

    160

  • htest：

    999900

  • atest：

    10

  • wtest：

    30

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    AU110

  • 制造商：

    Schneider Electric

  • 功能描述：

    THERMAL UNIT

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多AU110供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-12 17:35:00

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