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AUIRFL014NTR	文件：219.5 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Planar Technology Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
AUIRFL014NTR	文件：416.93 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVE GRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
AUIRLL014N	文件：231.61 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
AUIRLL014N	文件：554.54 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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AUIRLR014N	文件：209.42 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLogic-LevelGateDrive Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRF International Rectifier	IRF
AUIRLR014N	文件：411.28 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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AUIRLR014NTRL	文件：209.42 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLogic-LevelGateDrive Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRF International Rectifier	IRF

詳細參數(shù)

型號：
AUIRFL014NTR
功能描述：
MOSFET Automotive MOSFET 55V, 1.9A, 160 mOhm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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