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BFP640FESD

RobustLowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor

ProductBrief TheBFP640FESDisaverylownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4.1VandcurrentsuptoIC=50mA.

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    B-640T

  • 功能描述：

    Installation, Operation and Maintenance Procedures

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON/安森美
23+
TO252
5000
原廠授權代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道。可提供大量庫存,詳
 詢價
ON
23+
TO252
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
 詢價
ON
23+
TO252
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
 詢價
ONSEMI/安森美
24+
SOT-252
60000
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
CRYDOM
24+
5000
全新原裝
 詢價
AMPHENOL
23+
370
詢價
AMPHENOL
24+
35200
一級代理/放心采購
 詢價
Amphenol RF
2021+
母座
285000
專供連接器,軍工合格供應商!
 詢價
Amphenol
2022+
原廠原包裝
6800
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
AMPHENOL/安費諾
24+
11681
原廠現(xiàn)貨渠道
 詢價
更多B-640T供應商 更新時間2025-4-10 11:10:00

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