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BSP110

N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor

DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaminiatureSOT223envelopeanddesignedforuseintelephoneringercircuitsandforapplicationinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?High-speedswitching ?No

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BSP110

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFETs ?175°CMaximumJunctionTemperature ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

BSP110

N-channelenhancementmodefield-effecttransistor

1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?1technology. Productavailability: BSP110inSOT223. 2.Features nTrenchMOS?technology nVeryfastswitching nLogiclevelcompatible nSurfacemountpackage. 3.Applications nRela

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

BSR110FE

ThickFilm2512SurgeResistors

BITECHBi technologies

瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術有限公司

BSR110GE

ThickFilm2512SurgeResistors

BITECHBi technologies

瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術有限公司

BSR110JE

ThickFilm2512SurgeResistors

BITECHBi technologies

瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術有限公司

BSR110KE

ThickFilm2512SurgeResistors

BITECHBi technologies

瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術有限公司

BSR110ME

ThickFilm2512SurgeResistors

BITECHBi technologies

瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術有限公司

BSS110

P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor

DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaTO-92variantpackage. FEATURES ?Lowthresholdvoltage ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?Highspeedswitching ?Nosecondarybreakdown. APPLICATIONS ?IntendedforuseasaLinecurrentinterruptorin telepho

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BSS110

SIPMOSSmall-SignalTransistor(PchannelEnhancementmodeLogicLevel)

SIPMOS?Small-SignalTransistor ?Pchannel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?VGS(th)=-0.8...-2.0V

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多B110S供應商 更新時間2025-4-2 11:06:00

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