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B2D20120H1中文資料基本半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
B2D20120H1 |
| 功能描述 | SiC Schottky Diode |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | TO-247-2 |
| 文件大小 |
1.35458 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | SHENZHEN BASIC SEMICONDUCTOR |
| 企業(yè)簡稱 |
BASICSEMI【基本半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 深圳基本半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-21 13:40:00 |
| 人工找貨 | B2D20120H1價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
B2D20120H1規(guī)格書詳情
Features
Low leakage current (IR)
Zero reverse recovery current
Temperature independent switching behavior
Positive temperature coefficient on VF
High surge current capacity
Low capacitive charge
Applications
Switch mode power supplies (SMPS)
Uninterruptible power supplies
Server/telecom power supplies
Power factor correction
Solar
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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QFN8 |
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