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B3D20120H中文資料基本半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

B3D20120H
廠商型號(hào)

B3D20120H

功能描述

SiC Schottky Diode

絲印標(biāo)識(shí)

B3D20120H

封裝外殼

TO-247-2

文件大小

1.5181 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 SHENZHEN BASIC SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡(jiǎn)稱

BASICSEMI基本半導(dǎo)體

中文名稱

深圳基本半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-21 11:22:00

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B3D20120H規(guī)格書詳情

Features

Low leakage current (IR)

Zero reverse recovery current

Temperature independent switching behavior

Positive temperature coefficient on VF

High surge current capacity

Low capacitive charge

Applications

Switch mode power supplies (SMPS)

Uninterruptible power supplies

Server/telecom power supplies

Power factor correction

Solar

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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