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BD647

SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS

COMSET

Comset Semiconductor

BD647

SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

Eplbasepowerdarlingtontransistors(62.5W) BD643,BD645,BD647,andBD649aremonolithicNPNSiliconepibasepowerdarlingtontransistorswithdiodeandresistorsinaTO220ABplasticpackage(TOP-66).Thecollectorsofthetwotransistorsareelectricallyconnectedtothemetallicmounting

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BD647F

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BLF647

UHFpowerLDMOStransistor

DESCRIPTION SiliconN-channelenhancementmodelateralD-MOSpush-pulltransistorinaSOT540Apackagewithceramiccap.Thecommonsourceisconnectedtothemountingflange. FEATURES ?Highpowergain ?Easypowercontrol ?Excellentruggedness ?SourceonundersideeliminatesDCisolators

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BLF647

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BLF647P

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BLF647P

BroadbandpowerLDMOStransistor

Generaldescription A200WLDMOSRFpowertransistorforbroadcasttransmitterandindustrial applications.ThetransistorissuitableforthefrequencyrangeHFto1500MHz.The excellentruggednessandbroadbandperformanceofthisdevicemakesitidealfordigital applications. Featuresa

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

BLF647P(S)

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BLF647PS

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BLF647PS

BroadbandpowerLDMOStransistor

Generaldescription A200WLDMOSRFpowertransistorforbroadcasttransmitterandindustrial applications.ThetransistorissuitableforthefrequencyrangeHFto1500MHz.The excellentruggednessandbroadbandperformanceofthisdevicemakesitidealfordigital applications. Featuresa

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    B647

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    PNP

  • 性質(zhì)：

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    120V

  • 最大電流允許值：

    1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

  • 最大耗散功率：

    0.9W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    A-20

  • vtest：

    120

  • htest：

    999900

  • atest：

    1

  • wtest：

    0.9

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
HITACHI/日立
24+
TO-92L
1240
原裝正品,假一罰十!
 詢(xún)價(jià)
HIT
24+
TO-126
13560
詢(xún)價(jià)
TOSHIBA
23+
TO-92L
11000
全新原裝
 詢(xún)價(jià)
HIT
24+
TO-92L
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
HIT
18+
TO-92L
85600
保證進(jìn)口原裝可開(kāi)17%增值稅發(fā)票
 詢(xún)價(jià)
HIT
24+
6430
原裝現(xiàn)貨/歡迎來(lái)電咨詢(xún)
 詢(xún)價(jià)
HIT
23+
TO-92
3000
原裝正品假一罰百!可開(kāi)增票!
 詢(xún)價(jià)
HITACHI/日立
23+
TO-92L
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢(xún)價(jià)
GC
22+
TO-92
50000
原裝正品.假一罰十
 詢(xún)價(jià)
RENESAS
TO-92
68500
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
 詢(xún)價(jià)
更多B647供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-10 15:25:00

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