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HT7530S

Ultralowpowerconsumption,HighVoltageRegulLDO

Features ?1.5pACurrentatnoLoad ?￡2%OutputAccuracy ?150mAOutputCurrent ?Maximumworkinginputvoltage:28V ?PackageAvailableSOT89-3,50T23-5,S0T23-3L

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

IIRFB7530

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IIRFP7530

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF7530

PowerMOSFET(Vdss=20V,Rds(on)=0.030ohm)

Description NewtrenchHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwi

IRF

International Rectifier

IRF7530PBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRF7530PBF

UltraLowOn-Resistance

IRF

International Rectifier

IRF7530PBF

TrenchTechnology

IRF

International Rectifier

IRF7530TR

TrenchTechnology

IRF

International Rectifier

IRF7530TRPBF

TrenchTechnology

IRF

International Rectifier

IRFB7530

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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Mechatronics
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更多B7530H供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-12 10:18:00

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