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BR351W

SILICONBRIDGERECTIFIERS

SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd.

順燁電子江蘇順燁電子有限公司

BTC351N-TP

GDTProtectionComponent

Features Highinsulationresistance ?4KV10/700psmaximumsurgeratingin ‘accordancewithITU-TK21 Ultralowcapacitance(

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

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11.5A,400V,0.400Ohm,N-ChannelPowerMOSFET

11.5A,400V,0.400Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisisanN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistordesignedforapplicationssuchas switchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitching tran

Intersil

Intersil Corporation

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SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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