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BAV19R0G

High Voltage Switching Diode

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

BAV19R0

HighVoltageSwitchingDiode

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

PMPB19R0UPE

20V,P-channelTrenchMOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020M-6(SOT1220-2)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?TrenchMOSFETtechnology ?Small

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

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更多BAV19R0G供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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