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BAV302-TR

Small Signal Switching Diodes, High Voltage

FEATURES ?Siliconepitaxialplanardiodes ?Savingspace ?Hermeticsealedparts ?FitsontoSOD-323/SOT-23footprints ?Electricaldataidenticalwiththedevices ??BAV100toBAV103,BAV200toBAV203 ?AEC-Q101qualified ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleasese

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BAV302-TR

Package：2-SMD，無引線；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GP 150V 250MA MICROMELF

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

BAV302-TR3

Small Signal Switching Diodes, High Voltage

FEATURES ?Siliconepitaxialplanardiodes ?Savingspace ?Hermeticsealedparts ?FitsontoSOD-323/SOT-23footprints ?Electricaldataidenticalwiththedevices ??BAV100toBAV103,BAV200toBAV203 ?AEC-Q101qualified ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleasese

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BAV302-TR3

Package：2-SMD，無引線；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GP 150V 250MA MICROMELF

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

BB302C

BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier

Features ?BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. ?Lownoisecharacteristics;(NF=1.7dBtyp.atf=200MHz) ?WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto240VatC=200pF,Rs=0conditions. ?Provideminimoldpackages;CMPAK-4(SOT-

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

BB302M

BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier

Features ?BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. ?Lownoisecharacteristics;(NF=1.7dBtyp.atf=200MHz) ?WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto240VatC=200pF,Rs=0conditions. ?Provideminimoldpackages;MPAK-4(SOT-1

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

BB302M

BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier

Features ?BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. ?Lownoisecharacteristics;(NF=1.7dBtyp.atf=200MHz) ?WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto240VatC=200pF,Rs=0conditions. ?Provideminimoldpackages;MPAK-4(SOT-1

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

BB302MBW-TL-E

BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier

Features ?BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. ?Lownoisecharacteristics;(NF=1.7dBtyp.atf=200MHz) ?WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto240VatC=200pF,Rs=0conditions. ?Provideminimoldpackages;MPAK-4(SOT-1

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

BC302

PNPSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES

NPNSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES

MICRO-ELECTRONICS

Micro Electronics

BC302

SmallSignalTransistors

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BAV302-TR

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 二極管類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    250mA

  • 速度：

    快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 不同?Vr、F 時電容：

    1.5pF @ 0V，1MHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    2-SMD，無引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    MicroMELF

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    175°C（最大）

  • 描述：

    DIODE GP 150V 250MA MICROMELF

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY(威世)
24+
MicroMELF
2669
特價優(yōu)勢庫存質(zhì)量保證穩(wěn)定供貨
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VISHAY(威世)
24+
MicroMELF
6825
百分百原裝正品,可原型號開票
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VISHAY
24+
SMD
2500
原裝正品,假一罰十!
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VIS
24+
30000
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Vishay
24+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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VISHAY
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LL34-08
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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2447
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Vishay(威世)
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正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
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VISHA
23+
LL34-0805
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多BAV302-TR供應(yīng)商 更新時間2025-4-27 10:22:00

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